FT838MBD 5V/2V充電器方案

 FT838MBD 5V/2A充電器五能效方案

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特點 1、高效率，可滿足六能效標準；

2、低待機功耗＜80mW@264Vac；

3、輸出CV/CC精度 ＜±5%；

4、內置MOS，SOP-8，外圍元件 少，系統成本低；

5、保護功能齊，可靠性好；

6、滿足EN55022 ClassB EMI要求；

輸入電壓范圍： 90~264V 輸出電壓/電流： 5V/1A 尺寸： 38*30mm 典型效率： 76% EMI： pass 空載待機功耗： <80mW 輸出紋波： <100mVp-p 基本特點 充電器5V/1A FT839NB_5V1A_No Y_CE 1、高效率，可滿足六能效標準； 2、低待機功耗＜80mW@264Vac； 3、輸出CV/CC精度 ＜±5%； 4、內置NPN，外圍元件少，系統成 本低； 5、保護功能齊，可靠性好； 6、滿足EN55022 ClassB EMI要求； 充電器5V/1A FT839NB_5V1A_With Y_CE 輸入電壓范圍： 90~264V 輸出電壓/電流： 5V/1.5A 尺寸： 42.8*30mm 典型效率： 78% EMI： pass 空載待機功耗： <80mW 輸出紋波： <150mVp-p 1、高效率，可滿足六能效標準； 2、低待機功耗＜80mW@264Vac； 3、輸出CV/CC精度 ＜±5%； 4、內置NPN，外圍元件少，系統成 本低； 5、保護功能齊，可靠性好； 6、滿足EN55022 ClassB EMI要求； 

特色概述

 電壓輸入范圍（90Vac~264Vac）

 高效率

 Efficiency ≥ 78.65% @115Vac/230Vac

 低待機功耗

 < 120mW

 輸出紋波噪音低

 <80mV

 輸出短路保護

 輸出過流保護

 的容性負載啟機特性

 在5 能效標準基礎上有充足的效率余量

 內置功率MOS，DIP-8 封裝，IC 溫升低；外圍元件簡潔，成本低。

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